淺談開(kāi)關(guān)電源EMI優(yōu)化設(shè)計(jì)-傳導(dǎo)篇
本文深入探討了開(kāi)關(guān)電源中傳導(dǎo)電磁干擾(EMI)問(wèn)題的成因及其對(duì)系統(tǒng)性能的影響。通過(guò)合理的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法,如使用差模和共模濾波器、優(yōu)化PCB布局等手段來(lái)有效減少干擾,幫助工程師們構(gòu)建更高效、更可靠的電源解決方案。
電磁干擾(EMI)在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中都干擾著系統(tǒng)的穩(wěn)定性和信號(hào)的完好性,既然無(wú)法避免,那如何更多地從設(shè)計(jì)的角度解決問(wèn)題是關(guān)鍵,下面我們來(lái)分析開(kāi)關(guān)電源中常見(jiàn)的幾種EMI問(wèn)題。

如圖所示在傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試中干擾信號(hào)由LISN感應(yīng),由此我們可以根據(jù)LISN進(jìn)行差模(DM)和共模(CM)干擾模型的建立。以BUCK電路為例。

對(duì)于圖2使用電流源替代開(kāi)關(guān)管,使用電壓源替代SW電壓。其中IS波形與HIS 相同,VS波形與VSW相同。

使用疊加原理進(jìn)行化簡(jiǎn),分別將電壓源短路和電流源斷路。

圖4 疊加原理分解后差模等效電路
由圖4可知差模干擾能被LISN感知的主要集中在IS通路中同時(shí)在高頻交流干擾,0.1uF可以等效為短路,則BUCK電路差模模型可簡(jiǎn)化為下圖。

由此可知差模干擾主要由IS引起。IS 與開(kāi)關(guān)管電流波形相同。差模干擾主要由輸入回路中電流變化(di/dt)所產(chǎn)生。
同理進(jìn)行共模模型的簡(jiǎn)化,共模干擾主要由寄生電容和機(jī)殼、銅皮組成的回路進(jìn)行傳遞。所以引入SW到大地的寄生電容CP,輸出到大地寄生電容CPO。同時(shí)共模干擾為輸入線(xiàn)徑中相同分量,所以將Cf和CIN等效為短路,最終如下圖所示。

同樣進(jìn)行疊加原理

繼續(xù)簡(jiǎn)化可得下圖

由此可知共模干擾主要由VS引起,VS 與SW波形相同,則共模干擾主要由SW處電壓變化(dv/dt)所產(chǎn)生。
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